160 天然優勢，背靠祖國[第2頁/共6頁]

4、4、西安市對所得稅征收，前十年全免，後十年半額征收。同時西安市還承諾，將為項目修建高速公路和地鐵等交通根本設施，總的補助金額保守估計在300億元以上。

而同期間的日本半導體產業，從1985年開端日本經濟進入泡沫化，全民炒房。

墮入1997年東南亞金融危急的韓國海力士(Hynix)，以3.8億美金的代價，將TFT-LCD部分團體售給京東方，海力士就此專注於DRAM範疇，並獲得貴重的資金和天朝市場。

不到十年時候，韓國人一舉打倒日本人，緊緊占有了環球半導體內存市場。

2011年韓國三星與日本東芝在NAND FLASH範疇展開環球合作。

為了拉開與東芝的差異，三星決定新建NAND FLASH工廠。

日本NEC居第二。

再次回顧韓國人崛起的汗青過程。

隨後，海力士又向天朝商務部提出，增資15億美金再建一座12寸晶圓廠(80奈米工藝)並敏捷通過審批。

1992年三星環球第一個勝利研製64M DRAM。64M DRAM，矽片直徑為200-250mm，晶片麵積為135mm2，整合度為140000000。

當時三星在韓國華城(Fab12、Fab16)、器興(Fab14)和米國德州奧斯汀，共有4座NAND FLASH 12英寸晶圓廠，年產能450萬片晶圓。

2006年海力士90奈米技術出產的8英寸晶圓順利下線，合格率超越95%。

這就是大師所熟諳的，韓國人在半導體範疇的所謂的第一次“反週期投資”。

從英國ARM引進音視頻措置晶片技術。

第一，挺進天朝大陸市場，修建廣漠的計謀縱深。

華亞科技從2008年起持續虧損五年，累計虧損804.48億元新台幣(24.4億美金)。

至此，韓國人全麵崛起於日韓半導體戰役，成為環球半導體產業大國。

但對峙財產鏈的橫向擴大，這是成為半導體強國的必經之路。

西安市為此項目供應了钜額補助，包含：

當三星的西安項目完工以後，2016年東芝就過不下去了，2017年東芝不得不出售存儲部分。

1990年，16M DRAM，韓國人推出的時候滯後於日本人3個月。

1986-1987年日本人有效研發投入從4780億日元降落到隻要2650億日元，降落幅度達80%，這就給韓國人反超的機遇。