160 天然優勢，背靠祖國[第1頁/共6頁]

第三，財產鏈垂直一體化，加強上遊設備和電子化學品原質料的國產化。

1995年韓國人再次快速晉升壓強係數，科技紅利之有效研發投入再次大幅度晉升，同比增速高達96.82%。

1996年，韓國三星的DRAM晶片出口額達到62億美金，居天下第一。

墮入1997年東南亞金融危急的韓國海力士(Hynix)，以3.8億美金的代價，將TFT-LCD部分團體售給京東方，海力士就此專注於DRAM範疇，並獲得貴重的資金和天朝市場。

龐煖們需求重視的是，2011年三星半導體環球發賣金額也不過才285.63億美金，300億美金總投資的西安項目對於“韓日NAND FLASH戰役”的意義之嚴峻性，不言而喻。

垂釣島主權自古以來就屬於天朝人的！乾你大爺的小日本！

海力士拿著韓國利川工廠淘汰的8英寸晶圓設備，依托天朝資金、地盤、工人和天朝市場，用戔戔3億美金撬動了一項20億美金的投資。

但對峙財產鏈的橫向擴大，這是成為半導體強國的必經之路。

隨後，海力士又向天朝商務部提出，增資15億美金再建一座12寸晶圓廠(80奈米工藝)並敏捷通過審批。

韓國半導體出口產值131億美金，期間增加418%。

華亞科技從2008年起持續虧損五年，累計虧損804.48億元新台幣(24.4億美金)。

本日，另有多少人記得，NAND FALSH是日本人發明的呢？

早在1980年，日本東芝的藤尾增岡雇用4名工程師啟動一個奧妙的項目以研發下一代存儲晶片，實現存儲大量數據，並且讓用戶能夠買得起。藤尾增岡宣稱：“龐煖們曉得隻要晶體管在尺寸上降下來，那麼晶片的本錢也將會降落。”很快推出了一款EEPROM的改進產品，影象單位由1個晶體管構成。在當時，通例的EEPROM每個影象單位需求2個晶體管，這個小小的分歧對代價帶來了龐大的影響，日本人將這個晶片稱為FLASH，這個名字也是因為晶片的超快擦除才氣，FLASH晶片基於NAND技術，這一技術能夠供應更高容量的存儲，並且更輕易製造。1989年，東芝首款NAND FLASH上市。

2009年第二季度，淨虧損僅為580億韓元(0.45億美金)。

反觀韓國人，依托天朝大陸市場的計謀縱深，仰仗無錫海力士的投產，海力士僅僅一年時候就規複元氣。